硒化锗晶体 GeSe (سيلينيد الجرمانيوم)
晶体尺寸：~10毫米
电学性能：半导体
晶体结构：斜方晶系
晶胞参数： أ = 0.383 نانومتر، ب = 0.440 نانومتر، ج = 1.078 نانومتر، α = β = γ = 90 درجة
晶体类型：合成
晶体纯度： ＞99.995%

انحراف الأشعة السينية على بلورة واحدة GeSe متوافقة على طول الطائرة (100). تم تنفيذ XRD في درجة حرارة الغرفة باستخدام D8 Venture Bruker. 4 قمم XRD تتوافق، من اليسار إلى اليمين، إلى (h00) مع h = 2، 4، 6، 8

مسحوق انحراف الأشعة السينية (XRD) من بلورة واحدة GeSe. تم تنفيذ انحراف الأشعة السينية في درجة حرارة الغرفة باستخدام جهاز D8 Venture Bruker.

تحليل استوكيومتري لبلورة واحدة GeSe عن طريق الطيفية بالأشعة السينية المنتشرة للطاقة (EDX).

طيف رامان من بلورة واحدة GeSe. تم القياس باستخدام نظام رامان 785 نانومتر في درجة حرارة الغرفة.